恒流驱动芯片是LED泄漏屏里蹙迫的一部分白虎 美穴，它的选型班师影响泄漏遵守。目下常用的驱动芯片按其架构不同可分为通用芯片、双缓存、PWM三大类。这三类IC的具体职责旨趣是什么 ？区别又是什么呢？这篇著述逐一聊聊。

先说几个想法：

①刷新：指的是一秒钟图像出现的次数，具体到单灯即是一秒钟内亮灭了些许次。刷新高拍照遵守好，但一次刷新亦然一次灯珠的开关，灯珠的开关次数是会影响其寿命的。是以刷新够用就好，并不是越高越好。

②帧频：指的是一秒钟内出现了些许副图像，由于东谈主眼的视觉暂留特质，只好一秒钟内画面变化大于24HZ，就不会感到停顿，咱们目下使用的是60HZ帧频。

③灰阶：指的是屏体从黑到最亮概况分红的亮度等第。比如一个泄漏屏的亮度是16384cd/㎡，灰阶是14Bit（214即16384级）。它是将16384的亮度分红16384级，每一级的亮度是1cd/㎡。灰阶越高，每一级对应的亮度越低，泄漏遵守轮廓。

现差异以MBI5024、ICND2038S、MBI5153为代表，先容一下通用、双缓存、PWM三大类驱动芯片的具体职责旨趣和区别。

一：通用芯片（MBI5024）

图片白虎 美穴

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如图所示，16位数据信号SDI在时钟的作用下从低到高，被逐一送到16位位移缓存器中（串入）；16位数据存满后会自动同期参预16位输出栓锁器中；通过锁存信号LE领域，同期输出到16位驱动器中；临了通过OE领域其输出（并出）。

旧例芯片的灰度是通过把一帧的泄漏脉冲信号等分，从而领域灯珠点亮时刻取得。如下图是一个等分红16Bit的泄漏信号脉冲波形图，灰度等第越高脉冲越宽，对应灯珠点亮的时刻越久。

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相连旨趣框图，咱们不错开拓一个刷新和时钟的干系式。CLK=芯片通谈数*扫描数*刷新频率*一组数据芯片个数*换帧频率（芯片通谈数*扫描数*一组数据芯片个数，即是一组数据带点数）。

二：双缓存（ICND2038S）

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二：PWM（MBI5153）

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如上图不错看出，其职责款式和通用IC及双缓存IC有很大不相似了。数据通过数据时钟DCLK的作用传入到16位寄存器，存满后自动参预SRAM，SRAM会将一帧时刻内的所少见据先存储起来。然后通过灰度时钟GCLK合营comparators(算法电路)领域其输出脉宽得到具体的灰度值，班师将灰度值以16位的数据形势给到Output Buffers（输出缓冲器）输出。（通用IC的灰度不错交融为灯珠N次亮灭得到的，这里是班师输出灰度值）。

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知谈了PWM芯片的职责旨趣后，咱们不错开拓以下干系式：

①：DCLK=灰阶数据数*通谈数*扫描数*帧频*一组数据芯片个数；跟通用IC不相似的是这里多了一个灰阶数据数，从框图中不错看出输出灰阶为16的数据，是以式中灰阶数据数为16。

②：GCLK=灰阶*扫描数*帧频；一个GCLK脉宽即是一级灰阶，N个GCLK脉宽类似即是N级灰阶。

PWM芯片弗成班师将DCLK或GCLK视为通用芯片的CLK来开拓与刷新干系式。PWM芯片的刷新是由灰阶决定的，它是先有灰阶再有刷新。

③：刷新=（灰阶÷打散款式）*帧频；这里的打散款式是齐集PWM芯片一种擢升刷新的期间，不同PWM芯片有不同的打散款式，团结种PWM芯片在不同倍率下也有不同的打散款式。下图是MBI5153的打散款式：

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以一个灰度14Bit，32扫的泄漏屏不开倍频为例：带入以上干系式可得需要的GCLK约为31MHZ，概况得到的刷新为1920HZ（本文以上所关规划式均未计议消影所需的时钟）。

LED芯片是LED居品的腹黑，主邀功能即是把电能转变成光能，在使用经过中，led泄漏屏芯片也会出现各式种种的问题，目下就让咱们统共望望LED芯片旧例会出现那六大问题吧！

01正向电压裁减、暗光

（1）一种是电极与发光材料为欧姆战役，但战役电阻大，主要由材料衬底低浓度或电极缺损所致。

（2）一种是电极与材料为非欧姆战役，主要发生在芯片电极制备经过中挥发第一层电极时的挤压印或夹印，漫衍位置。

另外封装经过中也可能变成正向压裁减，主要原因有银胶固化不充分，支架或芯片电极欺凌等变成战役电阻大或战役电阻不踏实。

正向压裁减的芯片在固定电压测试时，通过芯片的电流小，从而发扬暗点，还有一种暗光表象是芯片自己发光遵守低，正向压降普通。

02难压焊

（1）打不粘：主要因为电极名义氧化或有胶

（2）有与发光材料战役不牢和加厚焊线层不牢，其中以加厚层零散为主。

（3）打穿电极：常常与芯片材料关联，材料脆且强度不高的材料易打穿电极，一般GAALAS材料（如高红，红外芯片）较GAP材料易打穿电极。

（4）压焊调试应从焊合温度，超声波功率，超声时刻，压力，金球大小，支架定位等进行转变。

03发光样貌互异

（1）团结张芯片发光样貌有显著互异主如果因为外延片材料问题，ALGAINP四元素材料采取量子结构很薄，孕育是很难保证各区域组分一致。（组分决定禁带宽度，禁带宽度决定波长）。

（2）GAP黄绿芯片，发光波长不会有很大偏差，然则由于东谈主眼对这个波段样貌敏锐，很容易查出偏黄，偏绿。由于波长是外延片材料决定的，区域越小，出现样貌偏差想法越小，故在M／T功课中有周边登第法。

（3）GAP红色芯片有的发光样貌是偏橙黄色，这是由于其发光机理为蜿蜒跃进。受杂质浓度影响，电流密度加大时，易产生杂质能级偏移和发光弥散，发光是初始变为橙黄色。

04闸流体效应

（1）是发光二极管在普通电压下无法导通，当电压加高到一定进度，电流产生突变。

（2）产生闸流体表象原因是发光材料外延片生永劫出现了反向夹层，有此表象的LED在IF＝20MA时测试的正向压降有隐秘性，在使用经过是出于南北极电压不够大，发扬为不亮，可用测试信息仪器从晶体管图示仪测试弧线，也不错通过小电流IF＝10UA下的正向压降来发现，小电流下的正向压降显著偏大，则可能是该问题所致。

05反向走电流IR

在规定要求下反向走电流为二极管的基本特质，按LED往常的旧例规定，指反向电压在5V时的反向走电流。跟着发光二极管性能的擢升，反向走电流会越来越小。IR越小越好，产生原因为电子的不司法出动。

（1）芯片自己品责问题原因，可能晶片自己切割十分所导致。

（2）银胶点的太多，严重时会导致短路。外延变成的反向走电主要由PN结里面结构劣势所致，芯片制作经过中侧面腐蚀不够或有银胶丝沾附在测面，严禁用有机溶液调配银胶。以腐化银胶通过毛细表象爬到结区。

（3）静电击伤。外延材料，芯片制作，器件封装，测试一般5V下反向走电流为10UA，也不错固定反向电流下测试反向电压。不同类型的LED反向特质进出大：普绿，普黄芯片反向击穿可达到一百多伏，而普红芯片则在十几二十伏之间。

（4）焊线压力领域欠妥，变成晶片内崩导致IR升高。

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措置决策

（1）银胶胶量需领域在晶片高度的1／3～1／2；

（2）东谈主体及机台静电量需领域在50V以下；

（3）焊线第少量的压力应领域在30～45g之间为佳。

06死灯表象

（1）LED的走电流过大变成PN结失效，使LED灯点不亮，这种情况一般不会影响其他的LED灯的职责。

（2）LED灯的里面连结引线断开白虎 美穴，变成LED无电流畅过而产死活灯，这种情况会影响其他的LED灯的普通职责，原因是由于LED灯职责电压低（红黄橙LED职责电压1．8v－2．2v，蓝绿白LED职责电压2．8－3．2v），一般齐要用串、并联来连结，来合乎不同的职责电压，串联的LED灯越多影响越大，只好其中有一个LED灯里面连线开路，将变成该串联电路的整串LED灯不亮，可见这种情况比第一种情况要严重的多。

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